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采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00
来自aixtron se公司官方网发布的消息，aixtron se最新推出的crius ii-l mocvd反应器将mocvd反应器的容量，生产能力和led生产成本都提升到新的高度
https://www.alighting.cn/news/20110708/100348.htm2011/7/8 9:19:09
未来当led照明时代正式来临，对led需求将是目前led产能的50倍，是手机应用的150倍。然而目前符合led照明标准的产品良率只有三～四成。台积电的加入，预计将提高台湾led产业
https://www.alighting.cn/news/20100421/120576.htm2010/4/21 0:00:00
晶元光电氮化镓(gan)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化镓(gan-on-si)的技术授权后，晶元光电即将于近期投产gan-on-s
https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23
https://www.alighting.cn/news/20110214/116074.htm2011/2/14 16:25:00
近日，aixtron ag公司表示，台湾高亮度led制造厂商广鎵光电利用其aix 2800 ht系统后，产量显着增加，产品质量优异。 huga optotech在其台中工业区工厂内
https://www.alighting.cn/news/20071024/93803.htm2007/10/24 0:00:00
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构gan的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这为提
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进行
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
