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氮化低维纳米结构的制备与表征

主要是以氧化为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析

  https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04

叙影响led发展的必然因素

于两大元素:一是芯片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动等。目前,led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/20/317581.html2013/5/20 14:03:33

散热技术日趋严苛 无封装led将面世

除了从系统角度强化散热性能外,随着led照明的应用普及,对于散热基板的要求日趋严苛,led基板材料及技术在近年的开发也有所进展,目前最新的趋势是对于硅基氮化

  https://www.alighting.cn/news/2013520/n872051857.htm2013/5/20 10:16:28

散热技术精益求精 无封装led将现身

基本上,由于蓝宝石基板面临技术瓶颈,led厂商正积极寻找新的基板材料,而硅基氮化可减少热膨胀差异系数,不仅能强化led发光强度,更可以大幅降低制造成本、提高散热表现,因此成

  https://www.alighting.cn/news/20130520/88400.htm2013/5/20 9:16:28

未来一年中国led芯片产业整合潮将持续

根据全球市场研究机构trendforce旗下绿能事业处ledinside调查显示,从去年8月份起,两岸已经发生过至少5起led芯片产业整合案例,包括晶电通过股权转让方式收购广

  https://www.alighting.cn/news/20130517/88479.htm2013/5/17 9:31:35

致阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信

响。2012年12月,“硅衬底氮化基led材料及大功率器件”荣获2012年国家工信部信息产业重大技术发明,这是国家对硅衬底led技术的高度肯定与支持。同时,晶能光电实现硅衬底大功率le

  http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/5/15/317208.html2013/5/15 10:08:53

中国梦的中国芯:晶能光电硅衬底大功率led芯片

晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05

led发展编年史

管。1993年,在日本日亚化工(nichia)工作的中村修二成功把氮渗入,造出了基于宽禁带半导体材料氮化(gan)和铟氮化(ingan)、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23

日立电线新品氮化模板可增强led特性

日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化(gan)单晶薄膜的gan模板全新量产技术,并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板,可以大幅提

  https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50

中村修二专利分析报告

通过本报告的分析,可以看出中村修二先生在蓝光led、半导体照明及其他氮化物半导体材料器件上引领着技术的发展方向,做出了一系列关键性的贡献,被誉为“蓝光之父”。因此,掌握中村修二教

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:03:09

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