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氮化镓晶体管的开关频率非常高，这种开关速度对驱动器中的线圈和储能电容的尺寸有很大的影响。氮化镓驱动器的开关速度比硅基驱动器的10倍。因此驱动可以做得更小更便宜，整个led灯更轻更
https://www.alighting.cn/resource/20140327/124727.htm2014/3/27 13:41:27
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
本文通过使用a1n和al203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板，主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系，并和铝基覆铜板作
https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
基板是一种具有良好散热功能的金属基覆铜板，它由独特的三层结构所组成，分别是电路层(铜箔)、绝缘层和金属基层。铝基板工作原理：功率器件表面贴装在电路层，器件运行时所产生的热量通过绝
https://www.alighting.cn/resource/20120208/126744.htm2012/2/8 10:53:16
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
本论文的研究和设计工作重点是led照明驱动电源和led照明灯具的配光,主要创新工作如下: 第一,在归纳了一般led照明对驱动电源要求的前提下,以led的电学特性为基 第三,根据城
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127185.htm2011/9/7 10:10:59
介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从gan基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
