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利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
须制备高质量的金属-zno接触。本论文采用脉冲激光沉积(pld)薄膜外延生长技术,制备并系统地研究了金属-zno薄膜的接触特
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(led)外量子效率的几种途径，生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
要的波段。因此，led渐渐的被导入除了照明以外的市场当中。其中以应用于uv鉴识、uv固化、植物生长灯及ir监视器辅助照明市场，有最为显著的成
https://www.alighting.cn/2011/12/6 9:41:31
m，hall和pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
行了表征。结果表明:在衬底温度为1 100℃时生长的薄膜质量较好,在较低温度(1 000℃)和较高温度(1 200℃)条件下生长的薄膜质量较
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
台湾虽已成世界led生产的重镇，但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者，mocvd生长的led磊晶(如氮化
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
在led整个工艺流程中，外延片的设计和生长、芯片的设计和电极的制、以及大功率led的封装是技术难度较高的环节。led产业链需要的生产备种类繁多，集中在衬底制备、外延片和芯片制造以
https://www.alighting.cn/resource/20110521/127573.htm2011/5/21 15:38:17
