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子博士学位，对于iii-v氮化物材料外延、半导体制程开发(高功率高亮度led、高电子迁移率晶体管、激光二极管、半导体探测器)、直流&射频溅射、电子束&热淀积、光刻工
http://blog.alighting.cn/206539/archive/2014/3/25/349659.html2014/3/25 13:35:35
导体制程开发(高功率高亮度led、高电子迁移率晶体管、激光二极管、半导体探测器)、直流&射频溅射、电子束&热淀积、光刻工艺技术、材料与器件特性表征测试等有丰富研究与经
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/25/349660.html2014/3/25 13:44:34
告，同时有30多篇文章被sci和ei收录。邵博士毕业于清华大学，并获得物理电子与光电子博士学位，对于iii-v氮化物材料外延、半导体制程开发（高功率高亮度led、高电子迁移率晶体管、激
http://blog.alighting.cn/206539/archive/2014/12/12/363540.html2014/12/12 17:59:20
著的增加。在近代电子学中用得最多的半导体就是硅（ｓｉ）和锗（ｇｅ），它们的最外层电子都是４个，在硅或者锗原子组成晶体时相邻的原子相互影响，使外侧电子变成两个原子共有的，这就形成了晶体
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9230.html2008/10/30 20:13:00
中，电容器的故障主要表现为： （1）引脚腐蚀致断的开路故障。 （2）脱焊和虚焊的开路故障。 （3）漏液后造成容量小或开路故障。 （4）漏电、严重漏电和击穿故障。 三、晶体二极
http://blog.alighting.cn/liuhongsheng/archive/2009/11/23/19904.html2009/11/23 11:05:00
量为0. 1 uf、误差为±5%。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“d”加数字表示，如： d5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电
http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/11/2/111438.html2010/11/2 9:57:00
行探索。由于gan材料的电荧光对晶体缺陷并不敏感，因此人们预期在si衬底上异质外延生长ⅲ族氮化物发光器件在降低成本方面具有明显的技术优势。 人们还期待使用si衬底今后还有可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
关式的效率更高。需要评估线性式驱动器拓扑结构和若干开关式驱动器拓扑结构的变体，以决定需要哪些外设。 通常，一个线性灌电流式驱动器由一个运算放大器、一个功率晶体管和一个电流感应电阻
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00
胶的选择 根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时，当入射角达到一定值，即大于等于临界角时，会发生全发射。以gan蓝色芯片来说，gan材料的折射率是2.3，当光线从晶体内部射
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
面。其基本特点为： ● 具有８通道功率ｄｍｏｓ晶体管输出，每个通道可连续输出１５０ｍａ的电流；● 各输出回路导通电阻低至５ω；● 每个输出通道典型限定能力为５００ｍａ；● 输出端
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134158.html2011/2/20 23:10:00
