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例，结合具体工程设计措施，分析了gb50034与iesna 90.1标准中在照明功率密度值、光源及灯具的选择、照明控制等设计要点上的异同，对绿色照明实施过程中的iesna标准可借鉴之
https://www.alighting.cn/resource/20141217/80992.htm2014/12/17 14:42:44
们通过对建筑各个视角的分析，确定出比较重要的几个视角面， 并通过确定重要视角与次要视角来确定灯点布置的密度，节约了相当大的成本。对建筑进行了多层的设计与考量。在雕塑的形体与飘
https://www.alighting.cn/resource/20150129/82290.htm2015/1/29 11:54:20
因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的。分析表明,高温老
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan-led外
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
伴随着高功率 led技术迭有进展，led尺寸逐渐缩小，热量集中在小尺寸芯片内，且热密度更高，致使led面临日益严苛的热管理考验。为降低 led热阻，其散热必须由芯片层级(chi
https://www.alighting.cn/resource/20111101/126937.htm2011/11/1 10:53:43
小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(eqe)比老化前低;老化前后eqe衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
构表征及原子力显微镜(afm)的形貌表征,发现折射率的变化主要归因于薄膜堆积密度的改
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
c;缺陷密度在102/cm2水平,纯度高于99.995%,常温下晶体在3～5μm波段红外透过率高于85%;用超声振动加工技术对大尺寸蓝宝石单晶进行加工,设计了专用金刚石磨削复合刀
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127224.htm2011/8/31 15:25:52
新频率，高显示密度的显示效果;另一方面又努力强调低成本，采用一些技术参数达不到设计要求的部件。这种做事方式势必导致一种相反的结果，实际上led显示屏的显示效果与期望的显示效果背道而
https://www.alighting.cn/resource/20110808/127335.htm2011/8/8 13:18:34
p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk)，散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层，又消
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
