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探秘:硅上氮化镓(gan)led

硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

led散热技术之对比分析

伴随着高功率 led技术迭有进展,led尺寸逐渐缩小,热量集中在小尺寸芯片内,且热密度更高,致使led面临日益严苛的热管理考验。为降低 led热阻,其散热必须由芯片层级(chi

  https://www.alighting.cn/resource/20111101/126937.htm2011/11/1 10:53:43

揭开led最鲜为人知的秘密

导读:   效率下降是阻碍gan基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示,通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02

si衬底上inp纳米线的晶体结构和光学性质

相似,纳米线密度不同。利用x射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与inp体材料相比,纳米线

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05

si衬底gan基蓝光led老化性能

小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(eqe)比老化前低;老化前后eqe衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

si衬底gan基led理想因子的研究

1arcsec。硅衬底gan led理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

pld制备zno薄膜及非晶纳米棒的结构与性质研究

构表征及原子力显微镜(afm)的形貌表征,发现折射率的变化主要归因于薄膜堆积密度的改

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44

地铁场所照明用led灯具技术规范

《地铁场所照明用led灯具技术规范》规定了地铁运营各场所的半导体(led)照明(以下简称led照明)的功能照明部分,包括:一般规定、照明照度值、应急照明、照明质量和照明功率密度值。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/10/17/95848_67.htm2011/10/17 9:58:48

中照照明奖:广州珠江新城西塔(办公楼部分)

广州珠江新城西塔位于广州珠江新城新城市中轴线花城广场西侧,是广州最高楼宇,也是广州最具标志性的建筑之一。广州珠江新城西塔与日后即将兴建的位于中轴线东侧的东塔呈对称形态,东西双塔

  https://www.alighting.cn/resource/2011/10/11/14403_23.htm2011/10/11 14:40:03

led室内照明光品质

从色温偏离度指标对考核发光二极管(led)照明光色优劣重要性的过程谈到照明光与黑体辐射轨迹线重合度问题;显色性是另一方面考核led照明光品质重要指标,目前高显色性led和混合法光

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/23/145511_90.htm2011/9/23 14:55:11

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