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与其他两种衬底的led 芯片相比,以sic 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下
https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的led技术展开，到硅衬底le
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，kyma也成功开发了高掺杂n+
https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
中国四联仪器仪表集团有限公司(简称四联集团)日前在重庆与美国霍尼韦尔公司签约，成为霍尼韦尔位于加拿大的蓝宝石工厂的新东家，并顺理成章地拥有了当今世界顶级品质蓝宝石衬底和定制蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20080429/92523.htm2008/4/29 0:00:00
近期，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80测试数据。
https://www.alighting.cn/pingce/20131016/121679.htm2013/10/16 13:34:10
