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高频电子变压器将走向哪里?

乱。其实高频电子变压器很简单的。 目前的电子设备愈来愈轻薄短小,高频电子变压器一个主要发展方向是从立体结构向平面结构、片式结构薄膜结构发展,从而形成一代又一代的新的高频电子变压

  http://blog.alighting.cn/locorn/archive/2011/5/30/183261.html2011/5/30 14:58:00

细看电阻之间的差别

近些年,我们都看到了电子行业的发展速度,已经不能拿发展很快来形容,新的产品不断的在响应社会发展的需求,当然,新的技术需要设备尺寸的减小的同时,分立元件制造商开发理想化性能器件(变

  http://blog.alighting.cn/locorn/archive/2011/6/9/198284.html2011/6/9 10:47:00

led照明产品的特点和优点

m,而照明用led的尺寸一般都要在1.0mmx1.0mm以上。led裸片成型的工作台式结构、倒金字塔结构倒装芯片设计能够改善其发光效率,从而发出更多的光。led封装设计方面的革

  http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165435.html2011/4/14 22:01:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增大芯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增大芯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

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