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外乎是单层的ｉｎｇａｎ／ｇａｎ量子井ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ或是多层的量子井ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ，而尽管制造ｌｅｄ的技术一直在进步但其发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
「21世纪光源计划小组」，并委托日亚化学与丰田合成进行技术开发，该计划小组将近紫外led的外部量子效率(以下简称为取光效率)目标定为40%，当时蓝光led的取光效率为15%，紫
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
、封装内部结构与包封材料，应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。 图中为ingan与alingap两种led用的半导体材料，在各尖峰波长（光色）下的外部量子化效率图，虽然最理想下可逼近40％，但若再
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/1/29/129427.html2011/1/29 10:03:00
联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电极制备技
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
低，导致串联电阻增大。使用si衬底的另一不利之处是，硅吸收可见光会降低led的外量子效率。尽管如此自1998年以来在硅上氮化镓led方面已经取得了不少令人兴奋的结果。 二、缓冲
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
使用光子晶晶体技术可以提高发光二极管的出光效率。本论文将从两种结构来验证光子晶体技术可以提高芯片的 外部量子效率。一是倒装芯片结构的使用，即将两个发光面制
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
