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制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, GaN晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了GaN薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
构，利用两种以上不同折射率(或介电常数)材料做周期性变化来达成光子能带的物质。所以光子晶体(photoniccrystal)被发现已将近20 年后的今天，在各领域的应用有著相当令
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/11117_28.htm2013/12/13 11:11:07
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
副秘书长; 联建光电有限公司独立董事。 获奖情况： 在led应用方面已经进行的研究包括： 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题; 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49
到较高的良率。优势：通过mocvd技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层，由p/n结髮光区发出的光透过上面的p型区射出。由于p型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/12/1/345357.html2013/12/1 18:56:56
为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利，各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术，目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的，但是，uv led 仍旧有
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31
美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作，在纽约州水牛城建立半导体制造工厂，并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品，预计将在2015年投
https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在GaN on GaN技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今GaN o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
