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GaN同质外延和竖直结构led

本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义,现在经张国义教授的同意,发布于新世纪led网平台分享与大家,希望能够对大家

  https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36

GaN元件和amo技术实现更高效率与宽频

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/resource/20140915/124307.htm2014/9/15 10:17:12

GaN元件和amo技术实现更高效率与宽频

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/8/28 11:07:01

GaN组件和amo技术实现更高效率与宽带

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/7/28 10:33:22

氮化镓(GaN)衬底及其生产技术

用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓体单晶材料非

  https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56

bluglass获政府500万基金支持

2007年9月11日,澳大利亚bluglass公司(开发低成本制造GaN晶片方法)获得澳大利亚工业局(ausindustry) "commercial ready grant

  https://www.alighting.cn/news/20070916/117228.htm2007/9/16 0:00:00

波兰top GaN公司制作GaN单晶衬底

top GaN是由unipress,隶属于华沙的波兰科学院的高压研究中心发展起来的,组建于2001年。

  https://www.alighting.cn/resource/20040712/128408.htm2004/7/12 0:00:00

世界上最强大的8寸晶圆

我们主要的产品: 500v晶圆电流值产品有:2a、3a、4a、5a、8a 650v晶圆电流值产品有:1a、2a、3a、4a、6a 替代ir2520 ir2153的电子镇流器i

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303367.html2012/12/13 15:18:03

最雷人的wafer就在瑞新原厂8寸晶圆

杰瑞特(台湾瑞新)是一家台湾高科技ic设计公司,我们的ic晶圆/芯片在业界久负盛名。我们既可以给你提供成品高压mos管,也可以给您提供mos管8寸晶圆,500v,650v晶圆

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299426.html2012/11/21 14:09:44

瑞新供应mos管8寸晶圆

led/cfl电源专用晶圆,路灯电源专用mos-6n65晶圆,2n65晶圆专用mos灯杯电源,,lcd电源专用6n65、2n65专用mos机箱电源,逆变器电源必须mos芯片,电

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303371.html2012/12/13 15:20:05

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