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用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材料非
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128088.htm2011/1/11 15:46:14
源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led，GaN基蓝、绿、紫和紫外线le
https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03
外延片生长是指：在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06
本文就“GaN材料的特性与应用，GaN是什么？”做了简要的分析概述，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上GaN明显是一种领先的方案;sic上GaN几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上GaN也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
据悉，现行的制造技术仅能制作出数mm左右大小的长方形GaN基板。住友的GaN基板，突破这一量产组件的瓶颈，即使与现行已进行量产的GaN基板结晶面(crystal face)相
https://www.alighting.cn/resource/20101125/128781.htm2010/11/25 0:00:00
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30
