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欧盟近期资助的一个研究项目,代号为newled,投资1500万美元,将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led,目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。
https://www.alighting.cn/news/20130305/99296.htm2013/3/5 10:49:31
2月9日,江西省科技厅透露,江西省“大尺寸si衬底GaN基led外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元人民币,居全国14项课
https://www.alighting.cn/news/20120210/99824.htm2012/2/10 9:38:19
2012年2月14日,2011年度国家科学技术奖励大会在北京隆重举行,大连美明外延片科技有限公司、中国科学院物理研究所、清华大学和大连路美芯片科技有限公司联合研发的《GaN基蓝绿
https://www.alighting.cn/news/20120216/99936.htm2012/2/16 10:58:26
2006年8月22日,虽然基于 GaN 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、sic 和gaas衬底)已取得重大进步,但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代,导致了照明
https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00
q 和剑桥大学组成团队基于6英寸硅衬底开发GaN发射器,来实现低成本芯片的制
https://www.alighting.cn/news/20070608/103134.htm2007/6/8 0:00:00
固态白光照明将成为二十一世纪经济的新的增长点。美国国会通过立案,计划在2015年前攻克技术关键和降低成本,使GaN led的白光固态照明进入家庭。从现在的发展速度看,led的白
https://www.alighting.cn/news/20050303/103641.htm2005/3/3 0:00:00
造蓝光、白光GaN led)的月需求量将由2009年12月的100万片(以2寸硅晶圆计算)大增近倍至200万
https://www.alighting.cn/news/20101028/103887.htm2010/10/28 10:11:52
日亚化学 (nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板,配合工艺与结构的改良,制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管,打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光器所保
https://www.alighting.cn/news/20090616/104671.htm2009/6/16 0:00:00
3月4日,以led和oled将开创照明领域的未来为主题的照明研讨会于在东京的「lighting fair 2009」上召开了。蓝色led发明人、目前活跃在GaN发光组件研究第一
https://www.alighting.cn/news/20090309/105506.htm2009/3/9 0:00:00
德国mocvd设备供货商aixtron ag于日前接获上海龙德芯光电公司的设备订单,预计于2010年q2出货。龙德芯光电将利用aixtron mocvd设备生产GaN高亮度le
https://www.alighting.cn/news/20100528/105797.htm2010/5/28 0:00:00