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对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间） 2.4蓝宝石衬底过渡法： 按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
国的osram就是以这样的架构开发出“thin gan”高亮度led。原理是在InGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
灯也不适用于视频拍摄的用途。庆幸的是，led制造商已经着手通过采用如氮化铟镓(InGaN)等新材料来提升功率led的光输出。 图1：基于ncp5005的电感式led驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
n)辐射模式，从而使得落在典型的相机视场内的光输出强度最大化。 安华高科技公司的每一个闪光灯模块集成了3个InGaN led裸片，这些裸片在模块内采用并行连接(hsmw-c83
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134133.html2011/2/20 23:00:00
于没有充足，有效的训练和设备操纵失灵而引起的。led是对静电敏感的设备。InGaN晶片通常被认为是“第一位”易受干扰的 。而alingap leds shi “第二位”或更
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179840.html2011/5/20 0:19:00
又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。 ④ 蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出pn结后，将蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。 ④蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出pn结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
如ingaalp等）或氮化物（如InGaN等）等半导体材料制作而成，其发光颜色因受发光机制与材料能隙的限制，故皆属于窄波宽的单色光。然就照明与显示之应用而言，则多数需要使用白色光源，倘若利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229839.html2011/7/17 22:31:00
铟)红、黄、橘光 led及InGaN(氮化铟镓)蓝、绿光led、以及白光led。其产品以显示用途为主,又以亮度一烛光(1 cd)作为一般led和高亮度led之分界点。一般led广
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
