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为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压，alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
州鸿利、宁波升谱、江西联创、天津天星、廊坊鑫谷、深圳瑞丰、深圳光量子、健隆光电科技有限公司等，均为国内主要封装企业。这些企业或者已打入高端显示屏、背光源、照明器件器件等门槛较高领
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279429.html2012/6/20 23:04:56
2)磷化镓(gap)——辐射绿色光谱(g)，波长约为570nm; (3)氮化铟镓(InGaN)——辐射蓝光光谱(b)，波长约为400nm
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/20/279375.html2012/6/20 16:01:54
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09
小led温升效应的主要方法，一是设法提高元件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274790.html2012/5/16 21:31:57
须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代，我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.１、ｌｅｄ芯片芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274785.html2012/5/16 21:31:35
产技术是InGaN，但此技术仍有一些瓶颈需要克服，目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案，希望能进一步拓展hb led的市场。这些瓶颈中以静电释
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13
于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01
对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19
p和InGaN led的研制进展十分迅速，现已达到常规材料gaa1as、gaasp、gap不可能达到的性能水平。目前，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的led都达
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274701.html2012/5/16 21:27:08
