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少是mocvd系统制造商的一个关键目标。影响mocvd工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析,我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00
界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片,则使用蓝宝石、SiC和si等作为基片,如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
v;整个方案效率大于90%;总功耗:15瓦;最大的光通量:1,250流明。 2. led模组部分 cl-822 led主要材料为nichia的晶圆和荧光粉。正向电压值为3.
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127036.html2011/1/12 16:41:00
led 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
长在蓝宝石或SiC衬底上,但是这两种衬底部都比较昂贵,尤其是碳化硅,而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点,人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
.也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 c)点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
若将蓝宝石基板厚度由100微米缩短至80微米,晶片热阻可降低20%,但不能无限制的缩短造成晶圆片破片。另外,若将kchip值提高至280w/mk(SiC),晶片热阻可降低87.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法,倒装焊芯片的电极与热沉芯片(硅、铜、氮化镓(gan)、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
d使用的芯片面积较小,因此晶圆上切出的管芯数目较多,也就是单颗led的制造成本可能降低。尤其进者,电流转弯时,若扩大芯片的面积,会使led发光更不均匀。但顺流led发射的光子数目则
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00