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1和cx1、cx2组成;db1是全桥整流器,内部是4个高压硅二极管;ce1、ce2、r10、d2～d4组成无源功率因数校正电路;bp2808芯片由r15、r16启动电阻降压经r17、
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229874.html2011/7/17 22:51:00
快,所以也适合用于汽车的刹车灯。led灯具 的设计自由度非常高,不仅能调节亮度,还能调节色度。 led电子 特性 led具有一般硅二极管的类似特性,在正负极之间施加电压。当外加电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229880.html2011/7/17 22:53:00
用纯净的碳化硅(sic)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00
能超过容许值,最后业者终于领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。有关led的使用寿命,例如改用硅质封装材料与陶瓷封装材料,能使led的使用寿命提高一位数,尤其是白光led的发光频谱含
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229911.html2011/7/17 23:09:00
定之后才会开始进行量测,而稳定时间最少5分钟以上。因为led与一般硅芯片的特性不同,因为无法确保电极面积的广泛程度,加上包括内部串联电阻值,以及电位出现不均匀分布等等,所产生的顺
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代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(sic)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。90年代中
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体质量。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan窗口和掩膜层条。在随后的生长过程中,晶圆gan首
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料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。进入21世纪后,led的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新,红、橙led光效已
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石al2o3和碳化硅sic衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比
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大,例如焊锡的不饱满,焊锡本身质量存在问题等等,都会产生严重的泄漏路径,从而造成毁灭性的破坏。另一种故障是由于节点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时所引起的。静电的脉冲能量可
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