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在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
品在行业内具有领先地位。在上海已形成“外延片-芯片-封装-应用-设备”的完整产业链。 上海led照明灯具产业的发展目标, 在产业规模上，争取在国内名列前茅；在创新能力上，形成良
http://blog.alighting.cn/daoke3000/archive/2011/9/8/236019.html2011/9/8 13:48:46
片，lightbar 的耗电量约为3瓦上下，两条就是5到6瓦，加上萤幕分辨率增加，萤幕控制芯片要控制的频道也同时倍增，以目前的技术单颗芯片即可达成，无需用到多颗控制晶 片，但耗电量则
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/7/235968.html2011/9/7 21:45:28
近日，德国aixtron se公司收到了来自江苏璨扬光电有限公司的订单，订购四台crius ii型、具备生产55×2英寸led外延片能力的mocvd设备。
https://www.alighting.cn/news/20110907/114672.htm2011/9/7 9:51:28
介绍了程控恒流源电路的设计。该程控恒流源电路的原理是由单片机片内定时器输出的脉宽调制信号产生可控的电压输出,并用该电压控制恒流源产生可控电流,通过单片机的键盘接口对输出电流进行设
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127186.htm2011/9/7 9:45:45
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
来自中国内地京东方和tcl集团两条8.5代线先后在今年6月和8月份投产，数据显示，这两条高世代液晶面板生产线达产后，年产大尺寸液晶屏将超过2000万片，将大大增加市场供应。在市
https://www.alighting.cn/news/20110906/100124.htm2011/9/6 10:34:40
司、led研发中心成功招募到：总经理/副总经理、研发部经理/技术主管、研发总工、外延片工程师、芯片工程师、封装工程师、制程工程师、结构工程师、光学工程师、电子工程师、驱动电源工程师
http://blog.alighting.cn/108092/2011/9/6 8:44:34
通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化.采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试.模拟结果显示:头罩外表面制备的sio2薄
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18
