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led感应局部加热封装试验研究

间的热键合。封装后的led性能测试表明,该封装技术不仅降低了热阻,使led在电流下(4倍电流)仍能保持较低的工作温度,而且降低了热应力和整体温对芯片结构的损坏,提了器件性

  https://www.alighting.cn/resource/2008117/V653.htm2008/11/7 13:27:14

一款led路灯pfc开关电源驱动设计方案

采用有源pfc功能电路设计的室外led路灯电源,内置完整的emc电路和效防雷电路,符合安规和电磁兼容的要求。采用电压环反馈,限压恒流,效率,恒流准,范围宽,实现了宽输入,稳压

  https://www.alighting.cn/2013/11/25 16:47:59

led点彩压阶传输技术

随着城市现代化建设的快速发展,城市变化日新月异,城市的装扮对生活在该城市里的人来说,是一种极大的视觉享受,像霓虹灯这样不环保、不节能的装饰灯,逐渐被环保节能、长寿命、可靠稳

  https://www.alighting.cn/resource/20110329/127810.htm2011/3/29 11:10:23

士兰微电子推出调光功能的白光led驱动芯片

a;内置温度保护电路,限流保护电路和pwm调光电路;系统转换效率,在串接多个led时的效率可以达到95%以上;该系列芯片可以进行pwm调光,通过外接pwm信号调整led的输出电

  https://www.alighting.cn/news/20071117/121368.htm2007/11/17 0:00:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

构版图芯片和p焊线电极在扩展电极中部的对角电极芯片的i-v特性基本一样,p焊线电极远离n电极对角电极芯片在相同电流下正向压降vf比其他几种芯片要。虽然图1(a)版图扩展电极的面积

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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