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氮化镓半导体照明led及其应用产业化

文章分析了照明用半导体led的外延、芯片及封装等相关技术,介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索,提出了一些具体的解决方案,并对led的产业化生产进行了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29

氮化镓倒装结构功率型led通过鉴定

2月15日,中国科学院半导体所创新项目“氮化镓倒装结构功率型半导体发光二极管(led)及关键技术”通过成果鉴定。

  https://www.alighting.cn/news/200725/V136.htm2007/2/5 11:37:38

利用表面粗化技术提高发光二极管的出光效率

GaN 材料在光电器件中的应用,得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 发光二极管的亮度取得了很大的提高,使得 GaN 发光二极管在很多领域都取得了应用,例如交通信号灯

  https://www.alighting.cn/resource/20070119/128948.htm2007/1/19 0:00:00

半导体led照明光源的技术进展与前景

GaN化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注,成了近期半导体光源技术的发展热点,是许多国家政府能源战略关注的热门技术。

  https://www.alighting.cn/resource/20061123/128478.htm2006/11/23 0:00:00

中村修二获“千年技术奖”奖金部分捐赠lutw金会

2006年9月8日,在芬兰首都赫尔辛举行的2006年“千年技术奖”颁奖仪式上,芬兰总统哈洛宁将100万欧元的奖金颁发给蓝光led发明人、现美国加利福尼亚大学圣芭芭拉分校教授及研

  https://www.alighting.cn/news/20060912/102878.htm2006/9/12 0:00:00

中村修二就蓝光led亮度提出解决方案

2006年9月5日,《nature materials》杂志十月刊中的一篇文章(由中村修二(shuji nakamura)合著)将介绍GaN蓝光led的亮度比一些被看好的材料所

  https://www.alighting.cn/news/20060906/102776.htm2006/9/6 0:00:00

全球GaN芯片产能中国增长最快

GaN 芯片的产能主要集中在台湾和日本,但中国大陆和韩国产能增长迅速,也成为重要的生产区域。

  https://www.alighting.cn/news/20060831/92234.htm2006/8/31 0:00:00

美国研究小组得能源部资助弥合led“绿光缺口”

2006年8月22日,虽然GaN 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、sic 和gaas衬底)已取得重大进步,但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代,导致了照明

  https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00

大功率发光二极管寿命试验及失效分析

GaN 蓝光l ed 芯片为础光源制备了大功率蓝光led ,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led 进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结

  https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00

我国氮化镓半导体激光器研究取得突破

由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓激光器”获得重大突破,在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

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