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flip chip led(倒装芯片)简介

p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的衬底(为145w/mk),散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层,又消

  https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26

日本开发出制作有机半导体单晶薄膜的新技术

日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说,他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称,该技术能使平

  https://www.alighting.cn/news/20110718/100410.htm2011/7/18 11:05:43

喜马拉雅山盐砖的成份

十种人体所需矿物质和微量元素,喜马拉雅水晶盐含氟化纳98%以上,其余元素包括铁、钙、镁、钾、铝、锌、镓、等等数十种人体所需矿物质,是名副其实的“盐中之王”。 具有完美水晶结构,蕴

  http://blog.alighting.cn/lightsalt/archive/2011/7/18/229981.html2011/7/18 10:20:00

led设备及mocvd国产化成十二五规划新亮点

近年来,我国半导体照明市场发展迅速,资金纷纷涌入。据业内人士透露,尽管目前我国白光发光二极管产业发展比较快,但关键设备及材料的严重依赖进口,比如金属有机化学气相沉积、等离子刻蚀机

  https://www.alighting.cn/news/20110718/90279.htm2011/7/18 9:55:28

背光源(backlight)的起源发展及分类

2以下 5,000 雹均匀性好寿命短、亮度低oel(有机电致发光片) 1,000以上 雹均匀性好、亮度高 寿命短fed(平板场发射) 10,000以上 亮度高 开发中。二、背光源的分

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229972.html2011/7/17 23:42:00

led生产工艺简介

、smd-led、high-power-led等。3.led封装工艺流程4.封装工艺说明1.芯片检验镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整2

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00

功率型led的封装技术

n led”其结构如图3 所示,根据报导,该封装结构的特点是采用热电分离的形式,将倒装芯片用载体直接焊接在热沉上,并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材料,具有较高的取

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00

便携式应用的led驱动解决方案

d 的电流都相同,从而保证相同的光强度。这种方案的缺点是,驱动器的输出电压必需等于或超过所有led的正向电压总和。在某些应用中,这就可能高达24v,于是需要采用击穿电压超过24v的

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229957.html2011/7/17 23:35:00

inn材料的电学特性

为mocvd技术是以in有机源为金属源,以n2作为载气,nh3作为氮源,通过二步制程或其它手段在低温500℃左右进行inn生长。mocvd的生长速度适中,可以比较精确地控制外延薄

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

led外延生长工艺概述

伸长出的高纯度元素晶柱 (crystal ingot)上,所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶:砷化??磊晶依制程的不同,可分为lpe(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

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