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由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
众所周知，蓝光led基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有yag的树脂薄层，约200-500nm。 led基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到
https://www.alighting.cn/resource/20060301/128923.htm2006/3/1 0:00:00
据测算，当前随着 mocvd设备在半导体制造业中的广泛应用，全世界每年对mocvd设备约有300台的市场需求，其中gan-mocvd设备每年至少需求120台。我国“十一五”期间约需
https://www.alighting.cn/news/20060220/91064.htm2006/2/20 0:00:00
氮化镓的格子缺陷很多却能够产生高辉度，主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构，使得组件的发光效率得以提高，进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化镓发光的奥秘，与提高发光效率的方法。
https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00
GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
美国enlux公司开发的照明用途的enlux led基强光照明灯在最近召开的拉斯维加斯国际灯饰展上获得了两项奖。在色温3000k下，暖白光发光亮度大于500 lm，它是为了代替4
https://www.alighting.cn/news/20051212/101677.htm2005/12/12 0:00:00
材料供应商atmi公司已将其GaN业务以1025万美元的价格出售给cree公司。
https://www.alighting.cn/news/20051212/116460.htm2005/12/12 0:00:00
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
中村修二的团队成功地在新平面上生长出光滑的缺陷较少的薄膜。与此生长技术相关的专利已有12项正在申请。该薄膜生长技术涉及现有的横向外延过生长技术，但具体细节没有被披露。
https://www.alighting.cn/resource/20051106/128461.htm2005/11/6 0:00:00
