站内搜索
两阶段充电方式，并利用双闭环pid控制实现了蓄电池的恒压限流充电。通过对该双闭环控制系统仿真研究，结果表明该模型合理有
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/16/14318_03.htm2011/9/16 14:31:08
利用实验室制备的a-igzo tft 器件进行参数提取后建立的spice 仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2t1c 和4t1c 的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4t1
https://www.alighting.cn/2015/1/4 13:44:07
高，但与国外先进国家相比差距较明显。在这种形势下，我们着手对led光学参数的测量进行了细致的研究，并进行了led国家光度标准的建立工
https://www.alighting.cn/resource/20140504/124610.htm2014/5/4 11:23:55
本文介绍了一种照明led驱动芯片中功率管的研究与设计。该芯片采用csmc 0.6um 5v标准cmos工艺设计,功率驱动管采用 ednmos结构,以提高功率管的耐压。芯片能直
https://www.alighting.cn/2014/4/21 10:33:49
作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
两阶段充电方式，并利用双闭环pid 控制实现了蓄电池的恒压限流充电。通过对该双闭环控制系统仿真研究，结果表明该模型合理有
https://www.alighting.cn/resource/20120510/126567.htm2012/5/10 11:05:45
本文对高温固相法制备稀土掺杂sr2sio4∶eu荧光粉进行了深入的研究：通过对sr2sio4∶eu荧光粉的合成温度、保温时间、激发波长、掺杂离子种类等制备工艺的优化，确定稀土掺
https://www.alighting.cn/2012/3/6 18:20:23
膜进行了表征和分析。研究了退火温度、氧氩比和溅射功率对薄膜光电特性的影
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
性,实验结果与理论模型符合良好.通过对测量结果和以上模型的分析,深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26
