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盟rohs指令的要求。输入电压通常为12 vdc,对于电池驱动的便携式应用和车载应用,某些型号el显示器还支持很宽的输入电压范围。只有el显示技术能够提供透明显示,或切割为曲线形状。通
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底杂质浓度。若生长温度降低,则外延层的载流子浓度也随之下降；提高as/ga比,则有可能引起材料的导电类型从p型转向n型。(3)、金属有机物和ash3的纯度反应物质的纯度将严重地限制
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
格昂贵。因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。氮化镓衬底生产技术和设备缺乏氮化镓衬底是阻碍氮化物研究的主要困难之一,也是造成氮化镓发光器件进展目前再次停顿的根本原因！虽然有
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至适当温度的gaas衬底基片上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到gaas衬底表面,生长出具有特定组分,特定厚度,特定电学和光学参数的半导体薄膜外延材料。iii族与v族的源物
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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
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常重要,以往多采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数led的驱动电流限制在20ma左右。但是,led的光输出会随电流的增大而增加,目前,很多功率型led的驱动电流可以达到70ma
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和颜色,并且各种颜色led与磷的有机整合几乎能够毫无限制地产生任何颜色。在可靠性方面,led的半衰期(即光输出量减少到最初值一半的时间)大概是1万到10万小时。相反,小型指示型白炽
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③可持续发展潜力大。由于以太网的广泛应用,使它吸引大量的技术投入。④ipv6采用128位地址长度,几乎可以不受限制地提供地址,把ipv6引入照明控制网,使每个光源具有一个独立的ip地
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他方面的原因引起的电流过大等等,而不会是发光管自身不耐闪烁。一般的驱动技术不但受输入电压范围的限制,而且效率低.在用于低功率的普通led 驱动时,由于电流只有几个ma, 因此损耗不
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护方法。其中一个方法是使齐纳二极管与led并联。这种方法可以将输出电压限制到齐纳击穿电压和电源的参考电压。在过压条件 下,输出电压会提高到齐纳击穿点并开始传导。输出电流会通过齐纳二
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