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洞在没有发光就被撷取了，在二者接合（再接合）时的能量，就会变成热释放出来，所以 GaN、inGaN从基本上来说，几乎不可能作为发光组件的材料。实际上，虽然缺点很多的GaN在室温条件
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
叉的位错线是呈现黑色的，可以推断晶格不匹配增加，iqe下降。虽然gaas和inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系，但是GaN中这种关系却不明显，这主要是GaN中位错的电学活性很
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
美国ssl计划中规定白光led器件寿命在2010-2015年中为5万小时。国内对led照明灯具的寿命要求一般也提到3~3.5万小时。有关led照明灯具的分类、性能指标及可靠性
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/3/27/269505.html2012/3/27 16:45:00
时，最好将它的pn结温度保持在100℃以下。 3、防静电指标：做好的led器件要注意防静电。无论是在运输状态，还是在装配过程中，都可能出现静电带来的损坏，要特别注意防静电。一般le
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/6/7/318901.html2013/6/7 17:17:21
在led应用方面已经进行的研究包括： l 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题； l 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系统的设计问题，采用边缘光线二维补偿设计方法，解
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2009/2/19/9691.html2009/2/19 12:02:00
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
度降低缺陷密度。采用非极性衬底生长led，可作显示屏、电视、手机等背光源，没有取向性，不要外置扩散片。采用半极性、非极性蓝宝石和GaN衬底生长led的核心技术，已取得突破性进
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
要问题之一。 led面临主要技术问题 1.电性能 led是pn结发光器件，单向导电特性，具有较高的结电阻，一定的反向漏电流、反向击穿电压；一般需恒流驱动，正向压
http://blog.alighting.cn/1133/archive/2007/11/26/8014.html2007/11/26 19:28:00
学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
