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别是严格地调灯丝位置,ｌｅｄ发光部位及接受面位置。先用光强标准灯校准硅光电二极管,ｃ＝e/s式中ｅｓ＝is/(D 2 s)ｄｓ是标准灯与接受器之间的距离,ｉｓ是标准灯的光强度,ｒ
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271804.html2012/4/10 23:37:07
板显示器的封装结构设计与工艺制造。该显示器像素尺寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271793.html2012/4/10 23:36:29
素尺寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~60
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271789.html2012/4/10 23:33:46
寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~600n
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271779.html2012/4/10 23:33:07
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271778.html2012/4/10 23:33:04
c595的控制信号和4组串行移位寄存器的输入以及行扫描控制信号a，b，c，D构成整个leD单元板的输入。74hc595的控制信号经驱动后和4组串行移位寄存器的输出以及行经过驱动的扫
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271766.html2012/4/10 23:32:13
源电压以及在每个leD中产生所需的“接通电流”(根据需要可以有所不同)进行设计。设计参数为：v1=D1的关断电压(D1无可见光时的最坏情况最大电压)v2=D2的关断电压(D2无可见光
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271759.html2012/4/10 23:31:38
为1，即置行移位寄存器的D为高电平，str使能（所有4094的oe 引脚接＋5v电平），从而使列移位寄存器中的数据同时并行输出以选通该行。经延时一段时间后再进行下一行点阵数据的显
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271754.html2012/4/10 23:31:19
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271750.html2012/4/10 23:30:57
v背光源，颇有逐步取代ccfl背光源的架势。主要是leD在色彩、亮度、寿命、耗电度及环保诉求等均比传统冷阴极管（ccfl）更具优势，因而吸引业者积极投入。 早期单芯片le D的功
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271747.html2012/4/10 23:30:49
