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展望2009年，牛津仪器针对6英吋衬底设备首次推出hvpe设备。oipt的等离子设备能用来刻蚀蓝宝石衬底，并在GaN沉积之前帮助衬底产生图案化特徵。一旦沉积完成，设备也能对蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20081229/105808.htm2008/12/29 0:00:00
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(GaN)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
它重点产品获取全球最大的市场份额。在2011年3月之前推出氮化鎵(GaN)基半导体产
https://www.alighting.cn/news/20101109/107538.htm2010/11/9 0:00:00
三星高级技术研究所(samsung advanced institute of technology)已经成功地利用无定形玻璃基材制造出单晶氮化镓(GaN)，这是一个重要的里程碑
https://www.alighting.cn/news/20111011/114471.htm2011/10/11 9:58:44
translucent称其vGaN产线是世界上第一条可盈利的可扩展reo基GaN衬底“iii-n半导体”的生产源。透明reo层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表
https://www.alighting.cn/news/20110811/115128.htm2011/8/11 10:01:28
aixtron宣布同方订购两套aix2800g4ht42x2英寸mocvd沉积系统，这是在年初下的订单，已在今年q3完成交付。设备用来生产GaN超亮蓝光led的生产。aixtro
https://www.alighting.cn/news/20101014/116574.htm2010/10/14 10:00:35
2007年7月24日，aixtron ag宣布其长期客户华上光电再次订购mocvd系统，用以开发、制备GaN 超高亮(uhb)led。此次订购的型号为aix 2800g4 h
https://www.alighting.cn/news/20070725/116752.htm2007/7/25 0:00:00
d showerhead)反应室和一套aix 2800g4 ht行星式反应室，这两款均是aixtron针对大尺寸GaN led制造的旗舰级设
https://www.alighting.cn/news/20080125/117135.htm2008/1/25 0:00:00
d的订单，这两台mocvd将送往theleds在韩国wonsam-myun的半导体工厂量产高亮蓝光GaN基led，用于应对客户对高亮led芯片需求的增
https://www.alighting.cn/news/20070912/117222.htm2007/9/12 0:00:00
锋，该公司已选择veeco的turbodisc? k465? 氮化镓（GaN）金属有机化学气相沉积（mocvd）设备，以帮助其luxeon led产品进行大批量生
https://www.alighting.cn/news/20090825/118174.htm2009/8/25 0:00:00
