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入电压下最佳占空比的近似值: 其中rb为整流器电阻,与应用电路中的r11相同,在本应用中设定为1。vd为整流二极管d1的正向压降。 将已知数值代入上式得
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压,通过外置的采样电阻r1,设定输出的总电
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现,各大led生产商在上游磊晶技术上不断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等,使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
器在6.5v至76v宽输入电压范围内保持125khz固定工作频率,是汽车应用的理想之选。亮度控制可以通过模拟(线性调节)或低频占空比(pwm)方式实现。 高亮度led发展背
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理炉和zxt-8型旋片式真空泵在2.0×10 -3 pa对金属阴极薄膜进行热处理。 3 结果与讨论 3.1 mg阴极和ag阴极蒸镀过程分析 图1所示是在玻璃基底上真空蒸
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
能稳定、顺畅地运行,即使电源内阻超过1欧姆。带有外部mosfet电源开关的电感式升降压型转换器控制器(ic1)被设置在一个电流调节环路中,它使用一个0.1ω的电流感应电阻器和大功
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1 前言 有机发光显示器(organic light emitting display,oled)是一种新型发光和显示器件。oled实质上是一个薄膜器件,它的发光层是有机材料
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声免疫性(多帧同步),最多12位3态地址引脚(最多可提供312个地址码),最多6位数据引脚,大范围的工作电压,单电阻振荡器,输出形式可设为锁存或瞬态。 发射器的作用是将编码
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出功率不同。传统的led的输出功率一般仅限于50mw以下,但hbled却能够提供1-5w的输出功率。 想要获得恒流源有许多不同的方法,如使用串联电阻器、线性电流源或开关调整
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配的衬底材料,外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷,其大部分的是线性位错,器件工作时,接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区,从而形成低阻欧姆通道,造
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