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、黄、绿等多种单色led，并用于各种信号指示、标识、数码显示，逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用MOCVD外延生长四元系材料，开发出高亮度发光二极管；1994年在ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00
势。晶元光电是我国台湾地区专业生产超高亮度led磊晶片及晶粒的上市公司，自有金属有机气相沉积(MOCVD)技术,是目前全球led外延级芯片的主要制造商，拥有完整的led芯片产品知
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222114.html2011/6/19 23:29:00
粒(chip)? 制程设备及材料：基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等? 磊晶( MOCVD / mbe / lpe / vpe )、晶粒产品( 扩散/ 金属蒸镀/ 蚀刻
http://blog.alighting.cn/sales7/archive/2011/6/20/222126.html2011/6/20 9:25:00
光的acled，其次是美国iii-ntechnology，3n技术开发MOCVD生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二
http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/6/20/222171.html2011/6/20 13:49:00
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222250.html2011/6/20 22:23:00
氧树脂, 导线架等磊晶( MOCVD / mbe / lpe / vpe )晶粒产品( 扩散/ 金属蒸镀/ 蚀刻/ 热处理/ 切割)封装( 焊线/ 封胶/ 电镀), 测试( 环境
http://blog.alighting.cn/wanshengzhanlan/archive/2011/7/5/228639.html2011/7/5 16:08:00
学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
型led封装技术主要应满足以下两点要求：①封装结构要有高的取光效率；②热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。功率型led所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多量子
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
