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率指标控制必须非常严格，这是封装业的重中之重。以往，制约led封装技术发展的因素被认为主要存在于以下三个方面：一是关键的封装原材料，如基板材料、有机胶(硅胶、环氧树脂)、荧光粉等性
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233057.html2011/8/19 23:49:00
电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00
4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00
物的皮肤很独特，为古老的阿拉伯文式的girih砖，这将会成为规划的主要部分。它定义和形成的半户外空间贯穿了整个建筑物的内部并向外延伸，加强了内部和外部建筑的连
http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/19/233007.html2011/8/19 22:51:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00
是有很大的参考价值；寿命试验以外延片生产批为母样，随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片，封装成ф5单灯器件，进行为96小时寿命试验，其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为，试
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232818.html2011/8/19 0:29:00
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00
由于led技术的进步，led应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光，其余
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/18/232792.html2011/8/18 23:48:00
led封装方式是以晶粒(die)藉由打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基板submount(次黏着技术)连结而成led晶片，再将晶片固定于系统板上连结成灯源模组。
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127295.htm2011/8/18 16:47:54
