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led芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

三十余家国内外媒体关注:成都启动最大led灯改造工程

游环节,成都东骏激光公司能生产蓝宝石衬底材料,四川新力光源有限公司能生产白光高转换效率荧光粉;在中游环节,四川瑞安特科技有限公司拥有大功率led封装技术,并形成了封装led器件100

  http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/10/20/109090.html2010/10/20 13:35:00

led照明从路面进入室内

责人告诉记者,在成都,以东骏、新力光源等产业链上的企业已经在led蓝宝石外延晶圆片生产、稀土荧光粉封装和驱动电路设计等方面具备了自主知识产权的国际竞争力,而led照明应用工程涉及高

  http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/11/16/114401.html2010/11/16 10:16:00

如果led芯片实现国产化,成本将降低30%

%的大功率芯片还得依靠进口。国内的led企业,每10家使用大功率芯片的企业中有8家用的是国外企业生产的芯片,其主要原因有:基于蓝宝石衬底的led核心专利主要被日亚化学和丰田合成把

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00

大功率led关键技术mocvd最新进展

 通过采用更大的晶圆尺寸改善产率(4英寸和6英寸)所有led(蓝、绿或白光的led)的主要部分是以gan/ingan/algan材料为基矗到目前为止,大部分led都是在2英寸蓝宝石

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00

[原创]led室内照明推广葡萄熟了

理,商业照明、高端消费家庭领域开始使用led,led室内照明进行市场推广的时机已经成熟。 技术日渐成熟 近年来,我国led芯片技术快速发展。目前我国蓝宝石衬底白光led有很大突

  http://blog.alighting.cn/worldled/archive/2011/7/8/229354.html2011/7/8 18:17:00

inn材料的电学特性

膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,gan缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

led势头正强劲 产能吃紧短期难缓

期延长,另一方面作为垄断者,市场供不应求带来的高利润值得继续保持,供应商有可能根据市场节奏控制实际产出。此外,设备厂虽在快速扩产,但2010年led上游蓝宝石和sic衬底扩产并未跟

  http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/7/25/230796.html2011/7/25 17:31:00

君盛投资合伙人黄宇:今年是led照明元年

%与25%。从数据看,似乎越往上游越过剩。实际上,上游产品的技术工艺门槛高,国内厂家多数只能生产低端产品,但上游蓝宝石、外延芯片中高端依然供给不足,需大量进口;低端则拼价格,短期过

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/6/5/277737.html2012/6/5 9:07:07

led四個關幾詞

子、国宇电子等一批中心企业,在国内打造出一条“蓝宝石衬底—外延片—芯片—封装—使用”较为完好的led工业链条。随后,市里出台一系列加速新光源工业开展的计划、方针和行动,拿出数亿元资

  http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/30/287685.html2012/8/30 9:14:34

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