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与尺寸大小关系不大，但与电极的位置有关，ｐ焊线电极远离ｎ电极的芯片２０ｍａ下的光输出功率高，正向压降也高。 关键词:ｇａｎ基LED;ｉ－ｖ特性;ｐ－ｉ特性; ｇａｎ基半导体材料近
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
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http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
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多LED照明领域，深受业界一致好评。 1. 采用固态半导体器件晶片自主封装发光效率高，1w的亮度可达到普通日光灯3w的效果，节约60%的电量，具有良好的光衰表现，耐高温pc塑料材
http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/10/17/293375.html2012/10/17 11:14:18
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293848.html2012/10/19 22:31:19
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