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《第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化》等四项目获4800万资助

东莞市将对2010年度市重大科技专项《纯电动汽车集成开发关键技术研究及应用》、《电动汽车动力电池关键技术研发与产业化》、《第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化》、《半导体照明产

  https://www.alighting.cn/news/20120305/109591.htm2012/3/5 10:18:21

epigan 成功调试爱思强mocvd,用于量产6英寸硅基氮化镓晶片

n 计划将这些系统用于商业化生产适用于各种电力和射频电子设备的6 英寸硅基氮化镓晶片,以及开发新一代200 毫米硅基氮化镓晶

  https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49

台湾联胜光电年底硅衬底月产能达500万颗

联胜总裁黄国欣指出,等了10年,联胜的硅衬底led自5月开始正式出货,年底单月产能上看500万颗,且良率可提升至60%,届时硅衬底led毛利率将远高于蓝宝石衬底led,有助于联

  https://www.alighting.cn/news/20120521/114122.htm2012/5/21 13:56:49

不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

【alls视频】李豫华博士:led在硅基板上封装之创新技术

级led封装技术高级工程师李豫华博士发表了《led在硅基板上封装之创新技术》的精彩报告。让各与会者对硅基板封装方面的理论、技术知识都有了更深入的了

  https://www.alighting.cn/news/20110725/109224.htm2011/7/25 15:30:42

2013ls:晶能-硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

硅晶圆发光技术探索

晶长膜领域中,要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合,基于发光元件高辉度要求,不断增大发光元件的发光面积,随着该面积变大,消费电力也随着急遽暴

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00

晶能光电赵汉民:硅衬底大功率led芯片产业化及应用

赵汉民博士发表了主题为“硅衬底大功率led芯片产业化及应用”的主题演

  https://www.alighting.cn/news/20120613/89788.htm2012/6/13 18:38:54

晶能光电硅衬底大功率led通过10000小时lm80测试

5月21日,晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/20140522/110824.htm2014/5/22 10:11:13

硅基大功率led芯片进步神速,晶能光电融资扩产

记者从南昌高新区政府获悉,晶能光电新一期扩产融资款已经到账。自2012年6月晶能光电于全球率先宣布实现硅基大功率led芯片量产以来,其产品性能提升突飞猛进,光效由最初发布的12

  https://www.alighting.cn/news/20130513/112701.htm2013/5/13 13:30:49

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