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真明丽于扬州设led外延片制造厂,总投资额达3000万美元

真明丽发布公告称,公司与扬州经济技术开发区管委会订立协议,将在扬州设立一间以生产led外延片、芯片、封装及照明模块的制造厂,总资本承担额3000万美元(2.34亿港元),预

  https://www.alighting.cn/news/20091015/116801.htm2009/10/15 0:00:00

宽禁带半导体sic和zno的外延生长及其掺杂的研究

面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

周均铭:制备超高亮度、大功率led外延材料的生长技术

院物理研究所周均铭教授做了题为《制备超高亮度、大功率led外延材料的生长技术》的报

  https://www.alighting.cn/news/20080125/102839.htm2008/1/25 0:00:00

台湾led外延厂12月营收普遍减逾30%

受到景气低迷、消费需求降温,以及年底存货盘点等因素影响,台湾地区上市led外延厂12月营收也多降温。包括晶电、新世纪等12月营收均较上月下滑约30%,璨圆12月营收减幅更达40

  https://www.alighting.cn/news/20090112/117471.htm2009/1/12 0:00:00

led芯片的制造工艺简介

led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21472.htm2009/11/1 13:01:53

科锐推出150毫米 4h n型碳化硅外延

led领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降

  https://www.alighting.cn/news/2012911/n735043325.htm2012/9/11 10:30:55

过渡层对ge衬底gaas外延层晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44

【alls视频】郑利瑶:2011 led外延芯片研究报告

2011年6月11日,“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自高工led产业研究所(glii) 副所

  https://www.alighting.cn/news/20110808/108977.htm2011/8/8 18:45:04

glii 副所长郑利瑶:《2011 led外延芯片行业研究报告》

2011年6月11日,“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自高工led产业研究所(glii) 副所

  https://www.alighting.cn/news/20110612/109073.htm2011/6/12 17:17:52

杰瑞特最特别的晶圆-8寸晶圆

smc台湾原厂高压mos管在电源领域已得到广大客户的认可,可以直接替换ir/st/fairchild/等品牌的mos管,我们的优势在于:1:我们是晶圆生产厂家,不是代理,也不是贸

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299428.html2012/11/21 14:14:06

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