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本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
始投入试生产。伯恩露笑蓝宝石有限公司主要产品为蓝宝石晶体和圆、方晶体制品，主要用于手机、手表等电子产
https://www.alighting.cn/news/20150126/82143.htm2015/1/26 10:16:49
而本届诺贝尔物理学奖的核心是，开发出了蓝色led使用的氮化镓(gan)晶体的制作技术。虽然该技术开发出来后对社会的影响极大，但不能说因为可以制作出这种晶体，物理学方面的理论研究就
https://www.alighting.cn/news/20141015/86800.htm2014/10/15 11:35:22
https://www.alighting.cn/news/20150126/98546.htm2015/1/26 10:17:46
质的半导体sic晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，siclone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客
https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46
且提高其效率。(所有图片来源：伊利诺大学)使用产业内标准的半导体长晶技术，研究人员在硅基板上制造氮化镓(gan)晶体，这种晶体能够产生高功率的绿光，应用于固态照
https://www.alighting.cn/news/20160803/142500.htm2016/8/3 9:46:58
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（sic mosfet）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
米线阵列具有高度c轴择优取向生长特性和较高的结晶质
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
3)衬底上生长的algan/gan超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
型zno薄膜,n型zno薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型zno薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的zno薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型zn
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
