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同,也可以将其分为无源矩阵显示器中的双扫描无源阵列显示器(dstn-lcd)和有源矩阵显示器中的薄膜晶体管有源阵列显示器(tft-lcd)。所谓dstn双扫描扭曲阵列,是液晶的一
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差(dislocation-free)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。3、晶冠成长(crown growth)长完颈部后,慢慢地降低拉速与温度,使颈部的直径逐渐增加到所需的大校4、晶体成
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度适合。?ゼbr②可获得电导率高的p型和n型材料。③可获得完整性好的优质晶体。④发光复合几率大。外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀
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延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
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效晶体管(field effect transistor,tft)控制该子像素的电场强度,以决定通过该子像素的光强度；通过各子像素的光能量,再经由各子像素所对应的原色(红色、绿色
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理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化
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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术英文名称；metal-organic chemical vapor deposition(mocvd)检索词：汽相外延；薄层外延；晶体生长技
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氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
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面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。mocvd具有以下优点：用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中,可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分,导电类
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