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晶能光电孙钱:硅基氮化大功率led的研发及产业化

在“2013新世纪led高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上,晶能光电(江西)有限公司硅基led研发副总裁孙钱博士就“硅基氮化大功率led的研发

  https://www.alighting.cn/news/20130610/88293.htm2013/6/10 14:48:59

英plessey公司获剑桥大学矽基氮化led的知识产权

plessey在英国plymouth拥有一家6英寸晶圆厂,并在近期收购了剑桥大学的一家衍生公司camgan。通过这项交易,plessey获得了camgan公司与矽基氮化

  https://www.alighting.cn/news/20120209/99826.htm2012/2/9 11:23:28

日本sdk公司扩基于氮化蓝光led芯片产量

showadenkok.k公司宣布将会在日本千叶的工厂投资接近4100万美元来扩大基于氮化蓝光led的生产力达到2亿个单位每月。蓝光led芯片的产量也将会在今年底从3000万

  https://www.alighting.cn/news/20070723/116626.htm2007/7/23 0:00:00

国内新型荧光粉 打破日德白光led专利壁垒

北京宇极最近成功开发出了新型氮氧化物黄 色荧光粉,并成功获得了国家专利。该专利打破了中国缺乏新型、高端白光led用荧光粉核心技术的现状,成功消除了中国led产业发展的瓶颈,因为中

  https://www.alighting.cn/pingce/20101022/123230.htm2010/10/22 9:30:24

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化基激光器”通过验收

中国科学院知识创新工程重要方向项目“氮化基激光器 (kgcx2-sw-115)”于2007年11月26日通过专家验收。

  https://www.alighting.cn/news/20080102/102620.htm2008/1/2 0:00:00

普瑞与东芝研发8英寸硅基氮化led芯片实现突破

议短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化led芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20120521/122494.htm2012/5/21 15:07:16

膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ito薄膜性质的影响

采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23

apt-b5501ab倒装芯片[广州晶科]

产功率型氮化蓝led芯片和超大功率模组芯片(5w、10w、15w、30w等)为主。今天主要推荐:产品型号: apt-b5501ab-v www ll的1w 氮化蓝光led倒装芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20101016/123235.htm2010/10/16 18:31:30

解读gan on gan led破效率与成本“魔咒”

目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台,更已在gan on gan技术上深耕多年,从早期的hvpe氮化基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术,技术面皆已突破现今gan o

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22

led相关材料成“十二五”新材料发展重点

半导体材料作为新材料发展重点之一,将以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向,逐步提高关键材料自给率。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料,积极开发氮化

  https://www.alighting.cn/news/20120228/99663.htm2012/2/28 14:18:57

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