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晶能光电:大尺寸硅衬底氮化基led

全球的led产业正在展开一场生死战。技术为王,战略取胜,在6月9日-10日举行的新世纪led高峰论坛“外延芯片技术及设备材料最新趋势”的主题峰会上,晶能光电有限公司将应邀作精彩演讲

  https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14

大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(mao)工艺制

  https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06

bridgelux强化与东芝在硅基氮化的技术合作

美国bridgelux近日宣布,将强化和扩展其与日本toshiba在技术策略层面上的合作。

  https://www.alighting.cn/news/20130524/112357.htm2013/5/24 10:03:28

友达发布65寸full hd oled电视面板

据了解,此款65寸full hd oled电视面板采用先进的金属氧化物半导体(oxide) tft背板,与世界最大六代精细金属遮罩( fmm ) oled 蒸镀技术。不仅成功克

  https://www.alighting.cn/pingce/20130522/121789.htm2013/5/22 11:09:56

氮化低维纳米结构的制备与表征

主要是以氧化为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析

  https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04

叙影响led发展的必然因素

于两大元素:一是芯片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动等。目前,led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/5/20/317581.html2013/5/20 14:03:33

散热技术日趋严苛 无封装led将面世

除了从系统角度强化散热性能外,随着led照明的应用普及,对于散热基板的要求日趋严苛,led基板材料及技术在近年的开发也有所进展,目前最新的趋势是对于硅基氮化

  https://www.alighting.cn/news/2013520/n872051857.htm2013/5/20 10:16:28

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必须

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

散热技术精益求精 无封装led将现身

基本上,由于蓝宝石基板面临技术瓶颈,led厂商正积极寻找新的基板材料,而硅基氮化可减少热膨胀差异系数,不仅能强化led发光强度,更可以大幅降低制造成本、提高散热表现,因此成

  https://www.alighting.cn/news/20130520/88400.htm2013/5/20 9:16:28

未来一年中国led芯片产业整合潮将持续

根据全球市场研究机构trendforce旗下绿能事业处ledinside调查显示,从去年8月份起,两岸已经发生过至少5起led芯片产业整合案例,包括晶电通过股权转让方式收购广

  https://www.alighting.cn/news/20130517/88479.htm2013/5/17 9:31:35

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