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全球首个硅基氮化单片集成fhd micro led显示器问世

5月14日,plessey宣布与硅基背板合作伙伴jasper display corp(jdc)在研发单片集成micro led显示器过程中迈出了重要一步。

  https://www.alighting.cn/news/20190517/161929.htm2019/5/17 10:38:50

国星光电:国星半导体已申请200多篇氮化专利

近日,国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示,硅基algan垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超高亮

  https://www.alighting.cn/news/20200226/166729.htm2020/2/26 10:53:56

用氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

[外延芯片]movcd生长氮化物外延层的方法

一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法,它采用mocvd技术

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15

富士康新技术提高led的量子效率

电子制造商富士康(foxconn)开发出利用纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式来,让氮化(ingan)与砷化铝(algaas)活性层的晶格排列更平

  https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00

最新研制得新一代白光led产品wled登场

n damilano及其研究团队利用氮化(gainn)/氮化(gan)制量子阱来产生蓝光及黄光,进而制作出wled。这项成果使wled的商业化有向前推进一步,未来有希望取代目前使用的白炽灯

  https://www.alighting.cn/news/20081222/120143.htm2008/12/22 0:00:00

用氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

aixtron新一代mocvd反应炉已达生产力目标

巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化(gan)沉淀,产量超过前一代系统的1倍,氮化/氮化(ingan)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况

  https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00

晶电进驻广嫁 股票有望第四季度上市

随着广董监改选的完成,广也正式成为晶电的成员。市场预期未来广在产品的研发、生产、业务、采购等各方面,都将与晶电有更进一步的整合。

  https://www.alighting.cn/news/20100907/118127.htm2010/9/7 0:00:00

led厂商隆达广本季挂牌上市

友达集团旗下的隆达及晶电集团的广等2家led厂都将在本季挂牌,隆达预计8月底挂牌,广则计划在9月挂牌。

  https://www.alighting.cn/news/2011810/n465933792.htm2011/8/10 8:35:54

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