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巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(gan)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(ingan)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
随着广镓董监改选的完成，广镓也正式成为晶电的成员。市场预期未来广镓在产品的研发、生产、业务、采购等各方面，都将与晶电有更进一步的整合。
https://www.alighting.cn/news/20100907/118127.htm2010/9/7 0:00:00
友达集团旗下的隆达及晶电集团的广镓等2家led厂都将在本季挂牌，隆达预计8月底挂牌，广镓则计划在9月挂牌。
https://www.alighting.cn/news/2011810/n465933792.htm2011/8/10 8:35:54
晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。
https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05
研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫外发光范围的led而言，这种增长非常可观。
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123078.htm2011/2/11 13:28:54
日本住友金属矿山公司于2012年11月15日宣布，已在其全资子公司大口电子(日本鹿儿岛县伊佐市)设置了150mm(6英寸)直径蓝宝石基板的生产线，并已开始量产。生产能力为1万块/月
https://www.alighting.cn/news/20121119/n420745901.htm2012/11/19 11:30:14
研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近，在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结构
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵向分
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
