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si基zno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

膜。xrd测量结果表明利用该方法制备的gan薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用sem和tem观测了薄膜形貌,p

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

sr3sio5:eu2+材料光谱特性研究

采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的sr3sio5:eu2+发光材料. 测量了eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05

p型透明导电cu-al-o薄膜的制备与光电性能研究

本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出p型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02

《照明设计手册》第二版 [扫描版]

明,旅馆照明,礼堂、影剧院照明,小型电视演播室照明,体育场、馆照明。会展中心照明,美术馆、博物馆照明,交通建筑照明,道路照明,夜景照明,应急照明,照明配电与控制,照明测量,照明节

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 12:29:09

si(111)湿法腐蚀后表面形态的ftir研究

及红外粗糙因子 ,表明在较低的 ph值的nh4f-hcl溶液中腐蚀的si(1 1 1 )表面粗糙度较大,与通过扫描隧道显微镜 (stm)技术测量的结果基本一致

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59

mocvd生长中利用al双原子层控制和转变gan的极性

讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一

  https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23

ies lm-79 ssl产品光电测量解读

本文为华测检测对于ies lm-79ssl产品光电测量标准的解读,解读专业透彻,推荐下载。

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127045.htm2011/9/30 15:20:25

led的光度测量和色度测量

《led的光度测量和色度测量》内容:1、光度学基础;2、色度学基础;3、led测量简介。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/30/113314_02.htm2011/9/30 11:33:14

moo_3作空穴注入层的有机电致发光器件(英文)

研究了三氧化钼(moo3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器件

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127047.htm2011/9/30 11:19:54

mocvd制备in_xga_(1-x)n/gan mqws的温度依赖性

验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的pl谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39

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