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algainp四元系发光二极管一般使用gaas衬底，由于gaas衬底的禁带宽度比algainp窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸光，
https://www.alighting.cn/resource/20090903/128995.htm2009/9/3 0:00:00
随着led的生产成本下降，其使用愈发普遍，所涵盖的应用范围从手持终端设备到车载，再到建筑照明。
https://www.alighting.cn/news/2010121/V22663.htm2010/1/21 9:10:24
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光gan基led。
https://www.alighting.cn/news/20130305/99296.htm2013/3/5 10:49:31
led芯片的制造过程，led制造工艺流程，从扩片到包装。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/128341.htm2010/7/12 15:06:55
主要内容包括相关定义、灯泡简介、灯具分类、主要电气元件、灯具产品主要技术要求
https://www.alighting.cn/resource/2013/1/11/134243_26.htm2013/1/11 13:42:43
本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义，现在经张国义教授的同意，发布于新世纪led网平台分享与大家，希望能够对大家
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36
led lamp(led 灯)主要由支架、银胶、晶片、金线、环氧树脂五种物料所组成。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/128340.htm2010/7/12 15:12:18
一份介绍《led工艺培训课程》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130426/125667.htm2013/4/26 11:41:24
腔可以提高芯片的发光效率和光束性能;讨论了反射腔的结构参数与芯片发光效率之间的关系。最后设计r封装的工艺流程。利用陵封装结构可以降低芯片的封装尺、j.提高器件的发光效率和散热特
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
