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附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟gan基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
致发光谱分析, 5.制作出了gan基led发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
飞兆半导体的设计团队为解决肖特基二极管出现泄漏故障的问题，开发了一种叫100 v boostpak解决方案。本文通过 二极管漏电流比较、对反向恢复时间进行比较、输出电压v= 55
https://www.alighting.cn/resource/20140328/124725.htm2014/3/28 9:54:13
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
ed数码管按控制方法分则分为：内控和外控;区别在于是否有单独的信号接头和电源接头;信号接头一般采用四芯的信号接头，设计原理大同小异;电源接头则采用两芯的。
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/2/1547_31.htm2012/2/2 15:04:07
对大功率gan基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
对交流led 的封装及特性进行详细分析，结合其特点，提出了一种基于恒电流二极管驱动交流led负载的新型照明方案。该方案完全摒弃了传统的开关电源，克服了开关电源电磁干扰严重等缺
https://www.alighting.cn/2014/2/20 11:23:33
