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采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
led的散热现在越来越为人们所重视，这是因为led的光衰或其寿命是直接和其结温有关，散热不好结温就高，寿命就短，依照阿雷纽斯法则温度每降低10℃寿命会延长2 倍。遗憾的是，现在实际
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/20/165643_82.htm2011/7/20 16:56:43
随着led应用的升级，市场对于led的需求，也朝更大功率及更高亮度的方向发展，对于高功率led的设计，目前各大厂多以大尺寸单颗低压dc led为主，做法有二，一为传统水平结构，另一
https://www.alighting.cn/resource/20110720/127418.htm2011/7/20 9:39:54
为了克服正装芯片的这些不足，出现了倒装芯片(flip chip)结构，光从蓝宝石衬底取出，不必从电流扩散层取出。由于不从电流扩散层出光，这样不透光的电流扩散层可以加厚，增加fli
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
度提高led光提取效率,在使用si、蓝宝石、sic作为芯片衬底材料时, 菱形结构的光提取效率分别提高到传统方形结构的1. 51、2. 03、3. 65倍
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/15/155226_01.htm2011/7/15 15:52:26
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光电
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
最新实验报告显示，用100w的集成模块对比，用纯铜片的模块在芯片温度高到75摄氏度时，用金刚石-铜复合片的模块芯片温度只有65摄氏度。而今国内已开发出金刚石-铜复合片。导热率比纯铜
https://www.alighting.cn/resource/20110707/127450.htm2011/7/7 11:58:41
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
