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外延改善LED芯片esd性能的方法

esd耐受电压是反映LED芯片性能的一项重要指标,可用于评估LED在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率,是目前LED研究和研发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le

  https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19

能源之星整体LED灯规范(中文版)

本标准适用于整体LED灯具,定义为一个带有LED、整体LED 驱动和一个准备通过ansi 标准灯头连接到分支电路的ansi 标准灯座。本标准包括非标准灯头的整体LED 灯,

  https://www.alighting.cn/news/20130830/109346.htm2013/8/30 15:01:31

基于mems的LED芯片封装的光学特性分析

本文提出了一种基于mems的LED芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔。分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11

电源内置LED日光灯的问题和缺点

目前,几乎市场上所有LED日光灯的电源都是采用内置。所谓内置就是指电源可以放在灯管里面。这种内置的最大优点就是可以做成直接替换现有的荧光灯管,而无需对原有电路作任何改动。所

  https://www.alighting.cn/resource/2013/1/30/11022_76.htm2013/1/30 11:00:22

cree最新推出高性能单芯片xlamp xm-l LED

cree公司已经推出了一款新型单芯片LED,采用高性能的紧凑型封装设计,封装大小为5x5 mm。cree的这款xlamp xm LED是专为高流明应用设计,如高隔间照明或道路照明。

  https://www.alighting.cn/news/20101116/121123.htm2010/11/16 0:00:00

整体LED路灯的测量方法

《整体LED路灯的测量方法》推荐性技术规范作为全球首个专门针对于半导体照明特定应用产品的测量方法文本,于2008年7月1日由国家半导体照明工程研发及产业联盟(下简称“联盟”)发

  https://www.alighting.cn/2013/3/1 11:46:08

台湾与日本LED芯片制造商计划扩大LED芯片产量

到2009年年底前,台湾LED芯片制造商晶元光电(epistar)和璨圆光电(formosa epitaxy)将扩大LED芯片月产量,有望增长到2亿颗,而日本的日亚也将在200

  https://www.alighting.cn/news/20090825/118175.htm2009/8/25 0:00:00

国产大功率LED芯片的封装性能

简单介绍了目前国内大功率LED芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90~100 lm/w之

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45

国产大功率LED芯片的封装性能

简单介绍了目前国内大功率LED芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90~100 lm/w之

  https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56

LED芯片及器件的分选测试

本文主要介绍LED芯片及器件的分选测试,LED的分选有两种方法:一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的LED进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50

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