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型n－zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
据悉，现行的制造技术仅能制作出数mm左右大小的长方形GaN基板。住友的GaN基板，突破这一量产组件的瓶颈，即使与现行已进行量产的GaN基板结晶面(crystal face)相
https://www.alighting.cn/resource/20101125/128781.htm2010/11/25 0:00:00
北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料，分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
本文为cree中国市场总经理唐国庆先生所做之《led—照明从此大不同》的演讲报告，本文深入浅出，主要探讨了半导体照明的市场特点和半导体照明的市场对策，经过唐国庆先生的授权，特别分
https://www.alighting.cn/resource/20120104/126766.htm2012/1/4 15:20:34
该文主要介绍了半导体(led)在城市照明示范工程应用中应该注意的一些问题。论文包含有led的性能和特点、科技部十城万盏半导体照明示范工程的要求及内容、示范工程应遵循的设计标准
https://www.alighting.cn/resource/20110406/127783.htm2011/4/6 17:48:14
bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd（遥控等离子化学气相沉积）在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究，这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上，通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
日本企业—日亚化学发布了脉冲振荡时输出功率为420mw的蓝紫色半导体激光器、以及连续振荡时输出功率为1w的蓝色半导体激光器。该公司称两款产品的输出功率均为“全球最高水平”。
https://www.alighting.cn/resource/20071221/128571.htm2007/12/21 0:00:00
