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衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要；本文，简单介绍几种常用的衬底材料，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36
根据新强光电可持续性的技术发展蓝图及leds发光效率的逐年提升，预估在二年后同样的一片8寸晶圆级leds封装即可达到100万流明的光输出。以此技术所发展的leds照明具备大量生
https://www.alighting.cn/resource/20101117/128775.htm2010/11/17 0:00:00
ux:3在led芯片内部设置了向芯片表面内扩展的n型接触层。从该n型接触层起，通过数十个通孔(芯片尺寸为1mm见方时)，向芯片表面上的n型GaN类半导层进行电气连接。这样一来，便
https://www.alighting.cn/resource/20101013/128355.htm2010/10/13 0:00:00
根据目前半导体照明的最新研究进展，GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问
https://www.alighting.cn/resource/20100821/128303.htm2010/8/21 15:10:14
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以inGaN等GaN类半导体为发光层的蓝色led和绿色led的外部量子效率降低的原因之一。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128317.htm2010/8/17 15:38:38
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128324.htm2010/8/17 14:21:23
有十分重要的意义。 大功率led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是，大功率led 路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，具有高效、安全
https://www.alighting.cn/resource/2010726/V1130.htm2010/7/26 14:10:23
