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可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与热沉芯片（硅、铜、氮化镓（GaN）、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
电，led正负两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格时，电流必须由垂直顺流改成水平横流且集中在内弯处，导致无法有效使用p-n接口的电子层和空穴层，因而减少了发光效率。更有甚者，电流集
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
似我国国科会，负责韩国科技事务，是大型研究机构与学术单位重要研究经费来源。目前科技部每年约有60~70件GaN相关研究计划，每年经费约2,000万至1亿韩元，比产业资源部要少。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126727.html2011/1/9 19:50:00
式，在全世界范围内布置专利网。目前主要国家和地区专利状况请见附表。国际上有关GaN基材料和器件的专利有以下特点： 有关GaN基材料的专利数量大，总数在数千项以上，但大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
d technology，简称most）的性质类似我国国科会，负责韩国科技事务，是大型研究机构与学术单位重要研究经费来源。目前科技部每年约有 60~70 件GaN 相关研究计划，每年经费约2,00
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/28/124033.html2010/12/28 12:16:00
光 led等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。 而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
镓（GaN）等材料组成，其内部结构具有单向导电性。 3）、晶片的结构： 焊单线正极性（p/n结构）晶片，双线晶片。晶片的尺寸单位：mil 晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其焊垫形
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120887.html2010/12/14 21:52:00
功率led由于芯片的功率密度很高，器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前GaN基外延衬底材料有两大类：一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石；一
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
化镓（GaN）等材料组成，其内部结构具有单向导电性。 3）、晶片的结构： 焊单线正极性（p/n结构）晶片，双线晶片。晶片的尺寸单位：mil 晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其焊垫形
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