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美国qd vision利用外量子效率（eqes：external quantum efficiencies）为7％以上的量子点开发出了红色led，亮度达到2万5000cd/m2以
https://www.alighting.cn/news/20090216/105608.htm2009/2/16 0:00:00
w）， 再加上多量子阱结构，红发光效率率达到73.7lm/w， 近两年来采用截头锥体倒装结构技术，红、黄和绿光led可分别达到102lm/w、68lm/w 和18lm/w，台
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
vlmx1500-gs08系列中的蓝色和白色led使用高效InGaN技术，大红、浅橙、黄色和嫩绿色器件使用最先进的allngap技术，使光输出提高了3倍。
https://www.alighting.cn/pingce/20120820/122386.htm2012/8/20 9:56:17
率型led器件的研发起始于上世纪九十年代中后期，超高亮度ingaaip红黄光与InGaN蓝绿光器件的研制成功与迅猛发展，为功率型器件的开发奠定了基础
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8777.htm2007/2/8 12:01:04
美国威世通用半导体(vishay intertechnology)上市了采用tag(铽·铝·石榴石)类荧光体材料的表面封装型InGaN类白色led“vlmw84..系列”(英文发
https://www.alighting.cn/news/20081225/V18416.htm2008/12/25 10:58:03
韩国教育科学技术部(长官：安炳万)21日发表了由韩国国内研究组将第二代照明光源的InGaN 青色led的发光效率最高增加了30%以上的源泉技术开发成功。
https://www.alighting.cn/resource/20100504/128396.htm2010/5/4 0:00:00
https://www.alighting.cn/news/200728/V8777.htm2007/2/8 12:01:04
日前，韩国教育科学技术部表示，由韩国国内研究组将第二代照明光源的InGaN 青色led的发光效率最高增加了30%以上的源泉技术开发成功。
https://www.alighting.cn/news/20100714/91681.htm2010/7/14 13:50:07
vishay intertechnology公司推出采用氮化銦鎵(InGaN)技术、具备低电阻及高光功率特性的全新暖白色smd led─vlmw611与vlmw621系列。
https://www.alighting.cn/news/20080314/94285.htm2008/3/14 0:00:00
德国欧司朗光电半导体(osram)近日宣布，将促进位于马来西亚槟城(penang)和德国雷根斯堡(regensburg)的InGaN类led芯片生产线的6英寸化，扩充led的生
https://www.alighting.cn/news/20110715/100413.htm2011/7/15 11:20:58
