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在InGaN层上形成金属膜,之后再剥离蓝宝石。这样,金属膜就会?a生映射的效果而获得更多的光线取出,而根据osram的资料显示,这样的结构可以获得75％的光取出效率。▲逐渐有业者利用覆
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
/ gan 双异质结,InGaN 活化簿层仅几十nm ,对静电的承受能力很小,极易被静电击穿,使器件失效。因此,在产业化生产中,静电的防范是否得当,直接影响到产品的成品率和经济效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
“thin gan”高亮度led。原理是在InGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根据osram的资料显示，这样的结构可以获得75
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230298.html2011/7/19 23:50:00
表的照明。 2白色led的发光机理及特性 2．1发光机理单芯片白色led是一种含InGaN活性层的can发光二极管，它主要有两种发光机理：一种是结合蓝色led和黄磷，通过蓝光和磷发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230340.html2011/7/20 0:16:00
像信号并由led器件阵列组成的显示屏幕。自1994年，日本成功研制成InGaN450nm蓝(绿)色超高亮度led以来，彩色led显示屏作为新一代的显示媒体，已广泛应用在展览中心、交
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233157.html2011/8/20 0:18:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258487.html2011/12/19 10:55:59
对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间） 2.4蓝宝石衬底过渡法： 按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
—辐射红色光谱（r），波长660纳米左右；·磷化镓 (gap)——辐射绿色光谱（g），波长570纳米左右；·氮化铟镓（InGaN）——辐射蓝光光谱（b），波长400纳米左右；1.
http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261578.html2012/1/8 21:53:38
